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NTD80N02
TYPICAL CHARACTERISTICS
5000
V GS = 0 V
10
28
4000
T J = 25 ° C
8
Q T
24
3000
2000
C iss
6
4
V D
Q 1
Q 2
V GS
20
16
12
C rss
C oss
1000
0
? 8 ? 6 ? 4 ? 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
2
0
0
10
I D = 1.0 A
T J = 25 ° C
20 30 40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
50
8
4
0
1000
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
80
V DD = 20 V
I D = 20 A
V GS = 10 V
70
60
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t r
t f
t d(off)
t d(on)
50
40
30
20
10
1
1
10
100
0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
R G , GATE RESISTANCE ( Ω )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
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